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SI2369BDS-T1-BE3
MOSFET, P-CH, 30V, 7.5A, SOT-23
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2369BDS-T1-BE3Copie
Code Commande22AM3496
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,775 $ |
| 10+ | 0,687 $ |
| 25+ | 0,609 $ |
| 50+ | 0,516 $ |
| 100+ | 0,440 $ |
| 250+ | 0,378 $ |
| 500+ | 0,321 $ |
| 1000+ | 0,271 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2369BDS-T1-BE3Copie
Code Commande22AM3496
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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