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SI2393DS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -7.5A, 2.5W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2393DS-T1-GE3
Code Commande54AH6884
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
28 943 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,768 $ |
| 10+ | 0,597 $ |
| 25+ | 0,527 $ |
| 50+ | 0,459 $ |
| 100+ | 0,390 $ |
| 250+ | 0,369 $ |
| 500+ | 0,347 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,84 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2393DS-T1-GE3
Code Commande54AH6884
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.0189ohm
On Resistance Rds(on)0.0189ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0189ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
On Resistance Rds(on)
0.0189ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2393DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits