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SI2393DS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -7.5A, 2.5W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2393DS-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine54AH6884
Bandes découpées54AH6884
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,040 $ | 5,20 $ |
| Total Prix | 5,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,040 $ |
| 10+ | 0,916 $ |
| 25+ | 0,811 $ |
| 50+ | 0,687 $ |
| 100+ | 0,588 $ |
| 250+ | 0,505 $ |
| 500+ | 0,440 $ |
| 1000+ | 0,372 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2393DS-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine54AH6884
Bandes découpées54AH6884
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
On Resistance Rds(on)0.0189ohm
Drain Source On State Resistance0.0227ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0189ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
0.0227ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI2393DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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