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SI3127DV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3127DV-T1-GE3
Code Commande75AH9200
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
37 409 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,000 $ |
| 10+ | 0,620 $ |
| 25+ | 0,549 $ |
| 50+ | 0,480 $ |
| 100+ | 0,409 $ |
| 250+ | 0,366 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3127DV-T1-GE3
Code Commande75AH9200
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id5.1A
On Resistance Rds(on)0.074ohm
Drain Source On State Resistance0.074ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd4.2W
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.074ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
4.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3127DV-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit