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SI3430DV-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 0.17 ohm, TSOP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,752 $ |
| 4000+ | 0,676 $ |
| 6000+ | 0,652 $ |
| 10000+ | 0,637 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 256,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3430DV-T1-E3
Code Commande65K1923
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.8A
On Resistance Rds(on)0.185ohm
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.14W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1.14W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.185ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.8A
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Power Dissipation Pd
1.14W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
1.14W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3430DV-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit