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SI3456DDV-T1-GE3
MOSFET,N CH,30V,6.3A,TSOP6
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14 148 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,798 $ |
| 10+ | 0,516 $ |
| 25+ | 0,465 $ |
| 50+ | 0,413 $ |
| 100+ | 0,362 $ |
| 250+ | 0,319 $ |
| 500+ | 0,274 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,99 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3456DDV-T1-GE3
Code Commande90R9126
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits