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SI3459BDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TSOP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,503 $ |
| 5000+ | 0,493 $ |
| 10000+ | 0,457 $ |
| 20000+ | 0,427 $ |
| 30000+ | 0,401 $ |
| 50000+ | 0,384 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 509,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3459BDV-T1-GE3
Code Commande15R4948
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.216ohm
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.216ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit