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SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -12V, -8A, 150DEG C, 3.6W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3473DDV-T1-GE3
Code Commande78AC6538
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
68 125 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,709 $ |
| 10+ | 0,463 $ |
| 25+ | 0,380 $ |
| 50+ | 0,296 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,54 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3473DDV-T1-GE3
Code Commande78AC6538
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
On Resistance Rds(on)0.0145ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.6W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation Pd
3.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.0145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3473DDV-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits