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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,800 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 0,975 $ |
| 100+ | 0,862 $ |
| 250+ | 0,790 $ |
| 500+ | 0,716 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3477DV-T1-GE3
Code Commande61AC1932
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd4.2W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation Pd
4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3477DV-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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