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3 625 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,670 $ |
10+ | 1,340 $ |
25+ | 1,230 $ |
50+ | 1,120 $ |
100+ | 1,000 $ |
250+ | 0,928 $ |
500+ | 0,855 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
8,35 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3590DV-T1-GE3
Code Commande64T4059
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.062ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.062ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.062ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.062ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3590DV-T1-GE3
1 produit trouvé
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits