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SI4056ADY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 8.3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4056ADY-T1-GE3
Code Commande04AJ4587
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
856 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,600 $ |
| 10+ | 1,230 $ |
| 25+ | 1,110 $ |
| 50+ | 0,991 $ |
| 100+ | 0,875 $ |
| 250+ | 0,800 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
8,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4056ADY-T1-GE3
Code Commande04AJ4587
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance0.0243ohm
On Resistance Rds(on)0.0243ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation5W
Power Dissipation Pd5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0243ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
On Resistance Rds(on)
0.0243ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4056ADY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits