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SI4056DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 11.1 A, 23 mohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 35 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,580 $ |
| 5000+ | 0,567 $ |
| 10000+ | 0,524 $ |
| 20000+ | 0,488 $ |
| 30000+ | 0,455 $ |
| 50000+ | 0,435 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 450,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4056DY-T1-GE3
Code Commande99W9613
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id11.1A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.1A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Power Dissipation Pd
5.7W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit