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SI4058DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 10.3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4058DY-T1-GE3
Code Commande57AJ0435
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
4 396 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,290 $ |
| 10+ | 0,928 $ |
| 25+ | 0,846 $ |
| 50+ | 0,764 $ |
| 100+ | 0,682 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,29 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4058DY-T1-GE3
Code Commande57AJ0435
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id10.3A
On Resistance Rds(on)0.0217ohm
Drain Source On State Resistance0.0217ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation5.6W
Power Dissipation Pd5.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0217ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.3A
Drain Source On State Resistance
0.0217ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
5.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4058DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits