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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4100DY-T1-E3
Code Commande
Bobine complète75M5457
Bandes découpées11AN9277
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 500 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,770 $ | 2,77 $ |
| Total Prix | 2,77 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,770 $ |
| 10+ | 2,640 $ |
| 25+ | 2,410 $ |
| 50+ | 2,210 $ |
| 100+ | 2,040 $ |
| 250+ | 1,750 $ |
| 500+ | 1,550 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,120 $ |
| 4000+ | 1,030 $ |
| 6000+ | 1,000 $ |
| 10000+ | 0,985 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4100DY-T1-E3
Code Commande
Bobine complète75M5457
Bandes découpées11AN9277
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI4100DY-T1-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
