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SI4100DY-T1-E3
N-CH MOSFET SO-8 100V 63MOHM 10V
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4100DY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande11AN9277
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,970 $ |
| 50+ | 1,900 $ |
| 100+ | 1,280 $ |
| 250+ | 1,150 $ |
| 500+ | 1,020 $ |
| 1000+ | 0,928 $ |
| 2500+ | 0,827 $ |
| 5000+ | 0,826 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,97 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4100DY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande11AN9277
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI4100DY-T1-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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