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SI4100DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 6.8 A, 0.063 ohm, SOIC, Surface Mount
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1 917 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,030 $ |
| 10+ | 1,570 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,03 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4100DY-T1-GE3
Code Commande55R1914
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
On Resistance Rds(on)0.051ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd6W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, LED Lighting
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
On Resistance Rds(on)
0.051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6W
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4100DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits