Imprimer la page
SI4116DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, 25V, 18A, 8SOIC
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4116DY-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine37AJ0969
Bandes découpées37AJ0969
Votre numéro de pièce
Available to Order by Phone
Pour plus d'informations sur le dernier état du stock, veuillez nous contacter.
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4116DY-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine37AJ0969
Bandes découpées37AJ0969
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance8600µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI4116DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
8600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit