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SI4116DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 18 A, 8.6 mohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4116DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande16P3725
Votre numéro de pièce
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,220 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 050,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4116DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande16P3725
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance8.6mohm
On Resistance Rds(on)0.0115ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.0115ohm
Rds(on) Test Voltage
12V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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