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SI4126DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 39A, SOIC
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,370 $ | 4,37 $ |
| Total Prix | 4,37 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,370 $ |
| 10+ | 4,170 $ |
| 25+ | 3,910 $ |
| 50+ | 3,580 $ |
| 100+ | 3,240 $ |
| 250+ | 2,900 $ |
| 500+ | 2,580 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,130 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4126DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète16P3727
Mise en bobine57AJ0438
Bandes découpées57AJ0438
Gamme de produitTrench
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Drain Source On State Resistance2750µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd7.8W
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
7.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
2750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit