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SI4126DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 39 A, 0.00275 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
4 950,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4126DY-T1-GE3
Code Commande16P3727
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Drain Source On State Resistance0.00275ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd7.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.00275ohm
Power Dissipation Pd
7.8W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit