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SI4156DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 24 A, 0.006 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4156DY-T1-GE3
Code Commande35R6233
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 1,020 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,793 $ |
| 4000+ | 0,733 $ |
| 6000+ | 0,713 $ |
| 10000+ | 0,702 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4156DY-T1-GE3
Code Commande35R6233
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.0048ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.2V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Rds(on) Test Voltage
2.2V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit