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SI4178DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 12A, SOIC
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
450 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,480 $ | 7,40 $ |
| Total Prix | 7,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,480 $ |
| 10+ | 0,924 $ |
| 15+ | 0,844 $ |
| 25+ | 0,763 $ |
| 50+ | 0,683 $ |
| 125+ | 0,602 $ |
| 250+ | 0,533 $ |
| 500+ | 0,465 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4178DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AC4994RL
Bandes découpées01AC4994
Gamme de produitTrenchFET
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit