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SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
7 424 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,800 $ |
| 10+ | 2,460 $ |
| 25+ | 2,350 $ |
| 50+ | 2,240 $ |
| 100+ | 2,130 $ |
| 250+ | 1,990 $ |
| 500+ | 1,850 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,80 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4190ADY-T1-GE3
Code Commande63W4144
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id18.4A
Drain Source On State Resistance0.0088ohm
On Resistance Rds(on)0.0073ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd6W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0088ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.4A
On Resistance Rds(on)
0.0073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6W
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4190ADY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits