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SI4214DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4214DDY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète35R0077
Bandes découpées35R6236
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 500 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 18h avec expédition standard
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,180 $ | 1,18 $ |
| Total Prix | 1,18 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,180 $ |
| 10+ | 0,740 $ |
| 25+ | 0,655 $ |
| 50+ | 0,569 $ |
| 100+ | 0,484 $ |
| 250+ | 0,429 $ |
| 500+ | 0,374 $ |
| 1000+ | 0,338 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,558 $ |
| 5000+ | 0,548 $ |
| 10000+ | 0,516 $ |
| 20000+ | 0,490 $ |
| 30000+ | 0,465 $ |
| 50000+ | 0,451 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4214DDY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète35R0077
Bandes découpées35R6236
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI4214DDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits