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SI4288DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4288DY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète96AJ0115
Mise en bobine70AC6505
Bandes découpées70AC6505
Votre numéro de pièce
7 500 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,140 $ |
| 10+ | 1,370 $ |
| 25+ | 1,220 $ |
| 50+ | 1,080 $ |
| 100+ | 0,923 $ |
| 250+ | 0,827 $ |
| 500+ | 0,732 $ |
| 1000+ | 0,682 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,350 $ |
| 5000+ | 1,310 $ |
| 10000+ | 1,270 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4288DY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète96AJ0115
Mise en bobine70AC6505
Bandes découpées70AC6505
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0165ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Applications
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0165ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4288DY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits