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SI4288DY-T1-GE3
MOSFET, NN CHANNEL, W/D, 40V, 9.2A, SO8
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4288DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0115
Mise en bobine64T4063RL
Bandes découpées64T4063
Votre numéro de pièce
2 500 En Stock
Bandes découpées sont disponibles en commandes différées.
2 500 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,530 $ | 12,65 $ |
| Total Prix | 12,65 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,530 $ |
| 10+ | 2,030 $ |
| 25+ | 1,880 $ |
| 50+ | 1,740 $ |
| 100+ | 1,570 $ |
| 500+ | 1,410 $ |
| 1000+ | 1,260 $ |
| 2500+ | 1,180 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,955 $ |
| 5000+ | 0,915 $ |
| 10000+ | 0,879 $ |
| 15000+ | 0,862 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4288DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0115
Mise en bobine64T4063RL
Bandes découpées64T4063
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0165ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0165ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
9.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI4288DY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit