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SI4401BDY-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 1,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
4 950,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4401BDY-T1-E3
Code Commande57J5666
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id8.7A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
On Resistance Rds(on)0.011ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.85W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.85W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI4401BDY-T1-E3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.7A
On Resistance Rds(on)
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.85W
Power Dissipation
1.85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit