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SI4401FDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4401FDY-T1-GE3
Code Commande26AK9922
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
2 500 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,510 $ |
| 10+ | 1,100 $ |
| 25+ | 0,971 $ |
| 50+ | 0,851 $ |
| 100+ | 0,730 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,51 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4401FDY-T1-GE3
Code Commande26AK9922
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.0142ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4401FDY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits