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SI4401FDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4401FDY-T1-GE3
Code Commande56AC6586
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,419 $ |
| 10+ | 0,419 $ |
| 25+ | 0,419 $ |
| 50+ | 0,419 $ |
| 100+ | 0,419 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4401FDY-T1-GE3
Code Commande56AC6586
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.0142ohm
On Resistance Rds(on)0.0118ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation Pd5W
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 40V, 14A TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- Suitable for adapter switch, load switch, battery switch and motor drive control
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0142ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
14A
On Resistance Rds(on)
0.0118ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4401FDY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit