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SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
5 843 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,440 $ |
| 10+ | 1,140 $ |
| 25+ | 1,050 $ |
| 50+ | 0,964 $ |
| 100+ | 0,875 $ |
| 250+ | 0,827 $ |
| 500+ | 0,779 $ |
| 1000+ | 0,741 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
7,20 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4431CDY-T1-GE3
Code Commande23T8505
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd4.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits