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SI4447ADY-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4447ADY-T1-GE3.
Code Commande28AC2141
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd4.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Power Dissipation Pd
4.2W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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