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SI4447ADY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4447ADY-T1-GE3
Code Commande64T4066
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7.2A
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4.2W
Power Dissipation Pd4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI4447ADY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
- 40V, 7.2A, P-channel TrenchFET® power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- 100 % UIS tested
- Suitable for load switches, adaptor switch and notebook PCs
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit