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SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 29A, SOIC
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,870 $ |
| 25+ | 3,370 $ |
| 100+ | 2,810 $ |
| 500+ | 2,650 $ |
| 1000+ | 1,910 $ |
| 2500+ | 1,890 $ |
| 5000+ | 1,880 $ |
| 10000+ | 1,850 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4459ADY-T1-GE3
Code Commande23T8508
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance5000µohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd7.8W
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 30V, 29A, P-channel TrenchFET® power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100 % Rg and UIS tested
- Suitable for adaptor switch and notebook
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
7.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit