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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 3,300 $ |
25+ | 2,880 $ |
100+ | 2,310 $ |
500+ | 2,060 $ |
1000+ | 1,570 $ |
2500+ | 1,510 $ |
5000+ | 1,450 $ |
10000+ | 1,440 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,30 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4465ADY-T1-E3
Code Commande97W2655
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id13.7A
Drain Source On State Resistance9000µohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation Pd6.5W
Power Dissipation6.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
- P-channel 1.8-V (G-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
6.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.7A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
Power Dissipation
6.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit