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SI4491EDY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 25.8A, SOIC
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2 758 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,890 $ | 1,89 $ |
| Total Prix | 1,89 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,890 $ |
| 50+ | 0,890 $ |
| 100+ | 0,792 $ |
| 250+ | 0,708 $ |
| 500+ | 0,621 $ |
| 1000+ | 0,585 $ |
| 2500+ | 0,550 $ |
| 5000+ | 0,514 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4491EDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0443RL
Bandes découpées57AJ0443
Gamme de produitTrenchFET
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25.8A
Drain Source On State Resistance5400µohm
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation6.9W
Power Dissipation Pd6.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5400µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6.9W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
25.8A
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
6.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour SI4491EDY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit