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SI4497DY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -36A, SOIC
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,940 $ | 19,70 $ |
| Total Prix | 19,70 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,940 $ |
| 10+ | 3,740 $ |
| 25+ | 3,470 $ |
| 50+ | 3,130 $ |
| 100+ | 2,800 $ |
| 250+ | 2,440 $ |
| 500+ | 2,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,610 $ |
| 4000+ | 1,450 $ |
| 6000+ | 1,390 $ |
| 10000+ | 1,330 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4497DY-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète86R3888
Mise en bobine01AC4997
Bandes découpées01AC4997
Gamme de produitTrenchFET
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd7.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
7.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI4497DY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit