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SI4840BDY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 34 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,080 $ |
| 4000+ | 0,969 $ |
| 6000+ | 0,935 $ |
| 10000+ | 0,915 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 700,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4840BDY-T1-E3
Code Commande33P5266
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id19A
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd6W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
- N-channel 40V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100 % Rg tested
- 100 % UIS tested
- Used in synchronous rectification, POL, IBC(secondary side)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit