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SI4848DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.7 A, 85 mohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,340 $ |
| 4000+ | 1,230 $ |
| 6000+ | 1,200 $ |
| 10000+ | 1,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 350,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4848DY-T1-GE3
Code Commande15R5096
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id2.7A
On Resistance Rds(on)0.068ohm
Drain Source On State Resistance85mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI4848DY-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Drain Source On State Resistance
85mohm
Power Dissipation Pd
1.5W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit