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SI4909DY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4909DY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète58T0558
Mise en bobine70AC6508
Bandes découpées70AC6508
Votre numéro de pièce
2 465 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,760 $ | 1,76 $ |
| Total Prix | 1,76 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,760 $ |
| 10+ | 1,110 $ |
| 25+ | 0,980 $ |
| 50+ | 0,858 $ |
| 100+ | 0,736 $ |
| 250+ | 0,656 $ |
| 500+ | 0,577 $ |
| 1000+ | 0,527 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,868 $ |
| 4000+ | 0,799 $ |
| 6000+ | 0,777 $ |
| 10000+ | 0,765 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4909DY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète58T0558
Mise en bobine70AC6508
Bandes découpées70AC6508
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.2W
Power Dissipation P Channel3.2W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI4909DY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switches, notebook and desktop PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Applications
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.2W
Qualification
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits