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SI4925DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4925DDY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète15R5124
Bandes découpées05W6952
Votre numéro de pièce
2 450 En Stock
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Commande avant 18h avec expédition standard
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,890 $ | 1,89 $ |
| Total Prix | 1,89 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,890 $ |
| 10+ | 1,330 $ |
| 25+ | 1,330 $ |
| 50+ | 1,180 $ |
| 100+ | 1,040 $ |
| 250+ | 0,958 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,641 $ |
| 4000+ | 0,576 $ |
| 6000+ | 0,556 $ |
| 10000+ | 0,543 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4925DDY-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète15R5124
Bandes découpées05W6952
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Aperçu du produit
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
5W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits