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SI4925DDY-T1-GE3
MOSFET, PP-CH, 30V, 8A, SO8
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 819 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 10+ | 1,420 $ |
| 25+ | 1,330 $ |
| 50+ | 1,240 $ |
| 100+ | 1,150 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
9,80 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4925DDY-T1-GE3
Code Commande78Y9548
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
5W
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits