Imprimer la page
SI4946BEY-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
4 909 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,270 $ |
| 10+ | 1,270 $ |
| 25+ | 1,270 $ |
| 50+ | 1,160 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 250+ | 1,160 $ |
| 500+ | 1,080 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,27 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4946BEY-T1-E3
Code Commande75M3216
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI4946BEY-T1-E3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The SI4946BEY-T1-E3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 175°C Maximum junction temperature
- 100% Rg Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits