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SI4948BEY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,909 $ |
| 4000+ | 0,822 $ |
| 6000+ | 0,795 $ |
| 10000+ | 0,777 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 272,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4948BEY-T1-E3
Code Commande29X0543
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.1ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The SI4948BEY-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.1ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4948BEY-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit