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SI6423DQ-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 9.5 A, 0.0085 ohm, TSSOP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 62 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 1,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
4 140,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423DQ-T1-E3
Code Commande85W2157
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id9.5A
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Drain Source On State Resistance0.0085ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleTSSOP
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
Drain Source On State Resistance
0.0085ohm
Power Dissipation Pd
1.5W
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI6423DQ-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit