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SI7101DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7101DN-T1-GE3
Code Commande19X1961
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Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,760 $ |
| 10+ | 1,870 $ |
| 25+ | 1,690 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7101DN-T1-GE3
Code Commande19X1961
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Drain Source On State Resistance7200µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI7101DN-T1-GE3
7 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
P-channel 30V (D-S) MOSFET for use in notebook adapter switch, notebook battery management and load switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit