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SI7119DN-T1-GE3
MOSFET, P CH, -200V, 3.8A, POWERPAK
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7 962 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,420 $ |
| 10+ | 1,600 $ |
| 25+ | 1,450 $ |
| 50+ | 1,300 $ |
| 100+ | 1,140 $ |
| 250+ | 1,050 $ |
| 500+ | 0,947 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
12,10 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7119DN-T1-GE3
Code Commande51AC3201
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.8A
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Drain Source On State Resistance1.05ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
3.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits