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SI7155DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 100 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7155DP-T1-GE3
Code Commande56AC6589
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,260 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 25+ | 1,260 $ |
| 50+ | 1,260 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
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Minimum: 1
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1,26 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7155DP-T1-GE3
Code Commande56AC6589
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7155DP-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit