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SI7272DP-T1-GE3.
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 25 A, 9.3 mohm
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9 000 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,360 $ |
| 6000+ | 1,330 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
4 080,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7272DP-T1-GE3.
Code Commande28AC2162
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel25A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0093ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Power Dissipation N Channel22W
Power Dissipation P Channel-
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
22W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
25A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0093ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Operating Temperature Max
150°C
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit