Imprimer la page
SI7309DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7309DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète33P5391
Bandes découpées26R1917
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 18h avec expédition standard
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,870 $ | 1,87 $ |
| Total Prix | 1,87 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,870 $ |
| 25+ | 1,360 $ |
| 50+ | 1,230 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,674 $ |
| 4000+ | 0,606 $ |
| 6000+ | 0,584 $ |
| 10000+ | 0,571 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7309DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète33P5391
Bandes découpées26R1917
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
On Resistance Rds(on)0.146ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.2W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Aperçu du produit
The SI7309DN-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for CCFL inverter and class-D amplifier applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.146ohm
Power Dissipation Pd
3.2W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7309DN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits