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SI7386DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 19 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7386DP-T1-GE3
Code Commande26R1919
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,010 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7386DP-T1-GE3
Code Commande26R1919
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.007ohm
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.8W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.8W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7386DP-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit