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SI7454FDP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7454FDP-T1-RE3
Code Commande37AJ9085
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
15 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,391 $ |
| 10+ | 0,391 $ |
| 25+ | 0,391 $ |
| 50+ | 0,391 $ |
| 100+ | 0,391 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,39 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7454FDP-T1-RE3
Code Commande37AJ9085
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23.5A
On Resistance Rds(on)0.0246ohm
Drain Source On State Resistance0.0295ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd39W
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead
Produits de remplacement pour SI7454FDP-T1-RE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0246ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
39W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23.5A
Drain Source On State Resistance
0.0295ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit